2SC5411 - мощный NPN транзистор от компании Toshiba
Описание: Компания Toshiba выпускает мощный NPN транзистор 2SC5411. Отличительные особенности устройства, высокое рабочее напряжение VCBO=1500V, низкое напряжение насыщения VCE(sat)=3V(max). Типовое время переключения 2SC5411 составляет tf=0.15µs. Транзистор предназначен для применения в выходных каскадах модулей строчной развертки телевизоров и мониторов, а также в различных высокоскоростных переключающих устройствах.
Корпус и назначение выводов
| Предельно допустимые параметры и температурные характеристики | |||
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения |
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 1500 | V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 600 | V |
| Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 | V |
| Ток коллектора постоянный | IC | 14 | A |
| Ток коллектора импульсный | ICP | 28 | A |
| Ток базы | IB | 7 | A |
| Мощность рассеивания коллектора | PC | 60 | W |
| Температура перехода | Tj | 150 | °C |
| Температура хранения | Tstr | -55 +150 | °C |
| Электрические характеристики | ||||||
| Параметр | Обозначение | Условия | min | typ | max | Единица измерения |
| Ток отсечки коллектора | ICBO | VCB=1500V, IE=0 | - | - | 1 | mA |
| Ток отсечки эмиттера | IEBO | VEB=1500V, IC=0 | - | - | 10 | µA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | V(BR)CEO | IC=10mA, IB=0 | 600 | - | - | V |
| Коэффициент усиления | hFE (1) | VCE=5V, IC=2A | 10 | - | 40 | - |
| hFE (2) | VCE=5V, IC=11A | 4 | - | 8 | - | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC=11A, IB=2.75A | - | - | 3 | V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE(sat) | IC=11A, IB=2.75A | - | 1.0 | 1.5 | V |
| Частота перехода | fT | VCE=10V, IC=0.1A | - | 2 | - | MHz |
| Выходная емкость коллектора | COB | VCE=10V, IE=0, f=1MHz | - | 190 | - | pF |
| Время переключения (Storage Time) | tstg | ICP=8.5V, IB1(end)=1.6A, fH=64kHz | - | 2.5 | 3.5 | µc |
| Время переключения (Fall Time) | tf | - | 0.15 | 0.3 | ||
Графики и зависимости
