Транзисторы серии 2Т825 (этикетка)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Схема расположения выводов

Основные электрические параметры при Токр.=(25±10)°C
Параметр, ед. измерения, режим измерения Обоз. 2Т825А (норма не менее) 2Т825А (норма не более) 2Т825Б (норма не менее) 2Т825Б (норма не более) 2Т825В (норма не менее) 2Т825В (норма не более)
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В (JK=0.001 А, UБЭ=1.5 В) UКЭХ проб. 100 - 80 - 80 -
Граничное напряжение, В (JЭ=0.1 А, Q более 100, tu менее 300 мкс) UКЭО гр. 80 - 60 - 43 -
Пробивное напряжение эмиттер-база, В (JЭ=0.002 А) UЭБО проб. 5 - 5 - 5 -
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (JK=10 А, JБ=0.04 А) UKЭ нас. - 2 - 2 - 2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (JK=10 А, JБ=0.04 А) UБЭ нас. - 3 - 3 - 3
Статический коэффициент передачи тока (U=10 В, JЭ=10 А) h21Э 980 18000 750 18000 750 18000

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь - 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.


Поиск
Меню раздела