BC846PN - пара NPN/PNP транзисторов в одном SMD корпусе

Особенности:

  • Подходит для построения входных усилительных каскадов
  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Низкий ток утечки
  • Два гальванически изолированных NPN/PNP транзистора в одном корпусе SMD

Маркировка, упаковка и назначение выводов

Наименование Маркировка Код для заказа Корпус Выводы NPN транзистора Выводы PNP транзистора
BC846PN 1Os Q62702-C2537 SOT-363 1=E, 6=C, 2=B 4=E, 3=C, 5=B
Предельно-допустимые параметры
Параметр Обозн. Величина Ед. изм.
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 65 V
Напряжение коллектор-база VCBO 80
Напряжение эмиттер-база VEBO 5
Ток коллектора IC 100 mA
Пиковый ток коллектора ICM 200
Температура перехода Tj 150 C °
Температура хранения Tstr -65...150
Общая мощность рассеивания при TS=115C ° Ptot 250 mW

Комментарии ()


    Поиск
    Меню раздела