IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.
IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.
IGBT транзисторы Infineon имеют диапазон рабочих токов от 2 до 52 А и рабочее напряжение от 600 до 1200 В
Диапазон рабочих температур от -55 до +150њС
Типы корпусов
Маркировка IGBT транзисторов
| Краткие характеристики | |||||||
| Наименование | Частотный диапазон, кГц | Напряжение коллектор-эмиттер, В | Напряжение коллектор-эмиттер (откр.), В | Ток коллектора, А | Мощность рассеивания, Вт | Корпус | Особенности |
| BUP212 | 10 | 1200 | 3.4 | 22 | 125 | TO-220AB | IGBT |
| BUP213 | 3.3 | 32 | 200 | ||||
| BUP313 | 3.4 | 32 | 200 | ТО-218АВ | |||
| BUP314 | 52 | 300 | |||||
| BUP311D | 20 | 125 | IGBT с обратным диодом | ||||
| BUP313D | 32 | 200 | |||||
| BUP314D | 42 | 300 | |||||
| SGP30N60 | 30 | 600 | 2.5 | 30 | 250 | TO-220AB | быстродействующий IGBT |
| SGW30N60 | 30 | 250 | TO-247AC | ||||
| SGP02N120 | 1200 | 3.1 | 2 | 62 | TO-220AB | ||
| SGP07N120 | 7 | 125 | TO-220AB | ||||
| SGW25N120 | 25 | 313 | TO-247AC | ||||
| SKP15N60 | 600 | 2.3 | 15 | 139 | TO-220AB | быстродействующий IGBT с обратным диодом | |
| SKW25N120 | 1200 | 3.7 | 25 | 313 | TO-247AC | ||
