IGBT транзисторы производства Infineon

IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.

IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.

IGBT транзисторы Infineon имеют диапазон рабочих токов от 2 до 52 А и рабочее напряжение от 600 до 1200 В

Диапазон рабочих температур от -55 до +150њС

Типы корпусов

Маркировка IGBT транзисторов

Краткие характеристики
Наименование Частотный диапазон, кГц Напряжение коллектор-эмиттер, В Напряжение коллектор-эмиттер (откр.), В Ток коллектора, А Мощность рассеивания, Вт Корпус Особенности
BUP212 10 1200 3.4 22 125 TO-220AB IGBT
BUP213 3.3 32 200
BUP313 3.4 32 200 ТО-218АВ
BUP314 52 300
BUP311D 20 125 IGBT с обратным диодом
BUP313D 32 200
BUP314D 42 300
SGP30N60 30 600 2.5 30 250 TO-220AB быстродействующий IGBT
SGW30N60 30 250 TO-247AC
SGP02N120 1200 3.1 2 62 TO-220AB
SGP07N120 7 125 TO-220AB
SGW25N120 25 313 TO-247AC
SKP15N60 600 2.3 15 139 TO-220AB быстродействующий IGBT с обратным диодом
SKW25N120 1200 3.7 25 313 TO-247AC

Комментарии ()


    Поиск
    Меню раздела