Особенности:
Корпуса и блок-схема устройства
| Предельно допустимые параметры и температурные характеристики | ||||
| Обозначение | Параметр | Значение для BU931 | Значение для BU931P | Единица измерения |
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер (VBE=0) | 500 | V | |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер (IB=0) | 400 | V | |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база (IC=0) | 5 | V | |
| IC | Ток коллектора | 15 | A | |
| ICM | Пиковый ток коллектора | 30 | A | |
| IB | Ток базы | 1 | A | |
| IBM | Пиковый ток базы | 5 | A | |
| Ptot | Мощность рассеивания Tc=25°C | 175 | 135 | W |
| Tstg | Температура хранения | -65 to 200 | -65 to 175 | °C |
| Tj | Максимальная температура перехода | 200 | 175 | °C |
| Электрические характеристики при Tcase=25°C, если не указано другое | ||||||
| Обозначение | Параметр | Условия | min | typ | max | Ед. изм. |
| ICES | Ток отсечки коллектора (VBE=0) | VCE=500V VCE=500V Tj=125°C |
100 0.5 |
µA mA | ||
| ICEO | Ток отсечки коллектора (VB=0) | VCE=450V VCE=450V Tj=125°C |
100 0.5 |
µA mA | ||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера (IC=0) | VEB=5V | 20 | mA | ||
| VCEO(sus) | Коллектор-эмиттер удерживающее напряжение (IB=0) | IC=100mA L=10mH VClamp=400V | 400 | V | ||
| VCE(sut) | Коллектор-эмиттер напряжение насыщения | IC=7A IB=70mA IC=8A IB=100mA IC=10A IB=250mA |
1.6 1.6 1.8 |
V | ||
| VBE(sut) | База-эмиттер напряжение насыщения | IC=7A IB=70mA IC=8A IB=100mA IC=10A IB=250mA |
2.2 2.4 2.5 |
V | ||
| hFE | Коэффициент усиления по току | IC=5A VCE=10V | 300 | |||
| VF | Прямое напряжение диода | IF=10A | 2.5 | V | ||
Графики и зависимости
Тестовая схемы включения
