Мощный высоковольтный драйвер электронного зажигания BU931/BU931P от STM

Особенности:

  • В основе мощный NPN DARLINGTON транзистор
  • Предназначен для применения в электронных системах зажигания
  • Выпускаетя в корпусах TO-218 и TO-3
  • Высокая температура перехода

Корпуса и блок-схема устройства

BU931/BU931P
Предельно допустимые параметры и температурные характеристики
Обозначение Параметр Значение для BU931 Значение для BU931P Единица измерения
VCES Напряжение коллектор-эмиттер (VBE=0) 500 V
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер (IB=0) 400 V
VEBO Напряжение эмиттер-база (IC=0) 5 V
IC Ток коллектора 15 A
ICM Пиковый ток коллектора 30 A
IB Ток базы 1 A
IBM Пиковый ток базы 5 A
Ptot Мощность рассеивания Tc=25°C 175 135 W
Tstg Температура хранения -65 to 200 -65 to 175 °C
Tj Максимальная температура перехода 200 175 °C
Электрические характеристики при Tcase=25°C, если не указано другое
Обозначение Параметр Условия min typ max Ед. изм.
ICES Ток отсечки коллектора (VBE=0) VCE=500V
VCE=500V Tj=125°C
100
0.5
µA
mA
ICEO Ток отсечки коллектора (VB=0) VCE=450V
VCE=450V Tj=125°C
100
0.5
µA
mA
IEBO Ток отсечки эмиттера (IC=0) VEB=5V 20 mA
VCEO(sus) Коллектор-эмиттер удерживающее напряжение (IB=0) IC=100mA L=10mH VClamp=400V 400 V
VCE(sut) Коллектор-эмиттер напряжение насыщения IC=7A IB=70mA
IC=8A IB=100mA
IC=10A IB=250mA
1.6
1.6
1.8
V
VBE(sut) База-эмиттер напряжение насыщения IC=7A IB=70mA
IC=8A IB=100mA
IC=10A IB=250mA
2.2
2.4
2.5
V
hFE Коэффициент усиления по току IC=5A VCE=10V 300
VF Прямое напряжение диода IF=10A 2.5 V

Графики и зависимости

BU931/BU931P

Тестовая схемы включения

BU931/BU931P

Комментарии ()


    Поиск
    Меню раздела