Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы П307ОС, П307ВОС, П308ОС, П309ОС в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в устройствах специального назначения. Климатическое исполнение УХЛ. Масса не более 2 грамм.
Назначение выводов
| Основные электрические параметры при (25±10)њC | |||||||||
| Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) | Обозначение | Норма для П307ОС | Норма для П307ВОС | Норма для П308ОС | Норма для П309ОС | ||||
| не менее | не более | не менее | не более | не менее | не более | не менее | не более | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА (RЭБ = 10 кОм, UКЭ = 80 В) | IКЭО | 20 | 20 | ||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА (RЭБ = 10 кОм, UКЭ = 120 В) | 20 | 20 | |||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА (RЭБ = 10 кОм, UКЭ = 80 В, tокр.ср.(125±5)њC) | 200 | 200 | |||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА (RЭБ = 10 кОм, UКЭ = 120 В,tокр.ср.(125±5)њC) | 200 | 200 | |||||||
| Обратный ток коллектора, мкА (UКБ = 80 В) | IКБО | 3 | 3 | ||||||
| Обратный ток коллектора, мкА (UКБ = 120 В) | 3 | 3 | |||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ = 3 В) | IЭБО | 5 | 5 | 5 | 5 | ||||
| Обратный ток коллектора, мкА (UЭБ = 3 В, tокр.ср.(125±5)њC) | 15 | 15 | 15 | 15 | |||||
| Коэффициент передачи в режиме малого сигнала (UКБ = 20 В, IЭ = 10 мА) | h21э | 20 | 60 | 50 | 150 | 30 | 90 | 20 | 60 |
| Сопротивление насыщения в режиме малого сигнала, Ом (IК = 15 мА, IБ = 3 мА) | rКЭнас | 100 | 130 | 130 | 130 | ||||
| Сопротивление насыщения в режиме малого сигнала, Ом (IК = 15 мА, IБ = 3 мА, tокр.ср.(125±5)њC) | 240 | 240 | 240 | 240 | |||||
Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: 10.7051 грамм золота, в том числе золото 0,00002272 г/мм на 3 выводах длиной 30 ± 2 мм. Цветных металлов не содержиться.
Сведения о приемке. Транзисторы типов П307ОС, П307ВОС, П308ОС, П309ОС соответствуют техническим условиям 3.365.059ТУ, аА0.339.190ТУ, 3.365.059ТУ/Д6.
