PN3645 - PNP транзистор общего назначения

PNP транзистор общего назначения производства фирмы Fairchild Semiconductor служит для построения усилителных каскадов и схем коммутации с током коллектора до 500 мА. Выпускается в корпусе TO-92.

Назначение выводов и внешний вид

Предельно-допустимые параметры
Параметр Обозн. Величина Ед. изм.
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 60 V
Напряжение коллектор-база VCBO 60
Напряжение эмиттер-база VEBO 5
Ток коллектора IC 800 mA
Рабочий диапазон температур и температура хранения Tj 150 C °
Общая мощность рассеивания PD 625 mW
Электрические параметры
Параметр Обозн. Условия MIN MAX Ед. изм.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V(BR)CEO IC = 10 mA, IB = 0 60 - V
Напряжение пробоя коллектор-база V(BR)CBO IC = 100 µA, IE = 0 60
Напряжение пробоя эмиттер-база V(BR)EBO IE = 10 µA, IC = 0 5.0
Ток отсечки коллектора ICES VCB = 50 V, IE = 0 - 35 nA
VCB = 50 V, IE = 0, TA = 65°C - 2.5 µA
Ток отсечки базы IBL VCE = 50 V, IC = 0 - 35 nA
Коэффициент усиления по току hFE VCE = 10 V, IC = 0.1 mA 40 - -
VCE = 10 V, IC = 1.0 mA 80 -
VCE = 10 V, IC = 10 mA 100 -
VCE = 10 V, IC = 150 mA 100 300
VCE = 2.0 V, IC = 300 mA 20 -
VCE = 1,0 V, IC = 50 mA 80 240
Коллектор-эмиттер напряжение насыщения VCE(sat) IC = 50 mA, IB = 2.5 mA - 0.25 V
IC = 150 mA, IB = 15 mA 0.4
База-эмиттер напряжение насыщения VBE(sat) IC = 50 mA, IB = 2.5 mA - 1.0 V
IC = 150 mA, IB = 15 mA 1.3
Выходная емкость Cob VCB = 10 V, f = 140 kHz - 8.0 pF
Входная емкость Cib VBE = 0.5 V, f = 140 kHz - 35
Время включения ton VCC = 30 V, IC = 300 mA, IB1 = 30 mA - 40 ns
Время задержки tв 25
Время нарастания tк 35
Время выключения toff VCC = 30 V, IC = 300 mA, IB1 = IB2 = 30 mA 100
Время хранения ts 70
Время спада tf 50

Комментарии ()


    Поиск
    Меню раздела